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方案介紹

光刻材料中陰離子的測(cè)定

光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上,為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。光刻的成本約為整個(gè)硅片制造工藝的 1/3,耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)硅片工藝的 40~60%。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、檢測(cè)等工序。光刻膠是一種經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計(jì)的復(fù)雜、精密的配方產(chǎn)品,由樹脂、光引發(fā)劑、單體、添加劑等不同性質(zhì)的原料,通過不同的排列組合,經(jīng)過復(fù)雜、精密的加工工藝而制成。目前集成電路的集成水平已由原來的微米級(jí)水平進(jìn)入納米級(jí)水平,為了匹配集成電路的發(fā)展水平,制備超凈高純?cè)噭┑募兌纫灿?SEMI G1 逐漸提升到 SEMI G4 級(jí)水平,對(duì)雜質(zhì)的檢驗(yàn)?zāi)芰σ笠蚕鄳?yīng)提高。

(1)陰離子

分析柱:SH-G-1+SH-AC-11

流動(dòng)相:15 mM KOH(EG)

流速:1.0 mL/min

柱溫:35℃

抑制器:SHY-A-6

進(jìn)樣體積:100 μL

前處理:稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中,加入 10 mL 去離子水,于 60℃水浴 1 h,取出冷卻至室溫,提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進(jìn)樣分析。

色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

1.png

PC 中陰離子譜圖


色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

2.png

PP 中陰離子譜圖


色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

3.png

ABS 中陰離子譜圖

(2)陽離子

分析柱:SH-G-1+SH-CC-3L

流動(dòng)相:6 mM MSA(EG)

流速:1.0 mL/min

柱溫:35℃

抑制器:SHY-A-6

進(jìn)樣體積:100 μL

前處理:稱取 2 g 樣品于 50 mL 樣品管中,加入 10 mL 去離子水,于 60℃水浴 1 h,取出冷卻至室溫,提取液過 0.22 μm 一次性針頭過濾器后進(jìn)樣分析。

色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

1.png

PC 中陰離子譜圖


色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

2.png

PP 中陰離子譜圖


色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

3.png

ABS 中陰離子譜圖


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